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開(kāi)關(guān)電源和線(xiàn)性電源的區別,各用在什么場(chǎng)合?
線(xiàn)性電源的調整管工作在放大狀態(tài),因而發(fā)熱量大,效率低(35%左右),需要加體積龐大的散熱片,而且還需要同樣也是大體積的工頻變壓器,當要制作多組電壓輸出時(shí)變壓器會(huì )更龐大。開(kāi)關(guān)電源的調整管工作在飽和和截至狀態(tài),因而發(fā)熱量小,效率高(75%以上)而且省掉了大體積的變壓器。但開(kāi)關(guān)電源輸出的直流上面會(huì )疊加較大的紋波(50mV at 5V output typical),在輸出端并接穩壓二極管可以改善,另外由于開(kāi)關(guān)管工作是會(huì )產(chǎn)生很大的尖峰脈沖干擾,也需要在電路中串連磁珠加以改善。相對而言線(xiàn)性電源就沒(méi)有以上缺陷,它的紋波可以做的很?。?mV以下)。

    對于電源效率和安裝體積有要求的地方用開(kāi)關(guān)電源為佳,對于電磁干擾和電源純凈性有要求的地方(例如電容漏電檢測)多選用線(xiàn)性電源。另外當電路中需要作隔離的時(shí)候現在多數用DC-DC來(lái)做對隔離部分供電(DC-DC從其工作原理上來(lái)說(shuō)就是開(kāi)關(guān)電源)。還有,開(kāi)關(guān)電源中用到的高頻變壓器可能繞制起來(lái)比較麻煩。

    開(kāi)關(guān)電源介紹

    開(kāi)關(guān)電源設計 

    1 電子產(chǎn)品,特別是軍用穩壓電源的設計是一個(gè)系統工程,不但要考慮電源本身參數設計,還要考慮電氣設計、電磁兼容設計、熱設計、安全性設計、三防設計等方面。因為任何方面那怕是Z微小的疏忽,都可能導致整個(gè)電源的崩潰,所以我們應充分認識到電源產(chǎn)品可靠性設計的重要性。 

    2 開(kāi)關(guān)電源電氣可靠性設計 

    2.1 供電方式的選擇 

    集中式供電系統各輸出之間的偏差以及由于傳輸距離的不同而造成的壓差降低了供電質(zhì)量,而且應用單臺電源供電,當電源發(fā)生故障時(shí)可能導致系統癱瘓。分布式供電系統因供電單元靠近負載,改善了動(dòng)態(tài)響應特性,供電質(zhì)量好,傳輸損耗小,效率高,節約能源,可靠性高,容易組成N+1冗余供電系統,擴展功率也相對比較容易。所以采用分布式供電系統可以滿(mǎn)足高可靠性設備的要求。 

    2.2 電路拓撲的選擇 

    開(kāi)關(guān)電源一般采用單端正激式、單端反激式、雙管正激式、雙單端正激式、雙正激式、推挽式、半橋、全橋等八種拓撲。單端正激式、單端反激式、雙單端正激式、推挽式的開(kāi)關(guān)管的承壓在兩倍輸入電壓以上,如果按60%降額使用,則使開(kāi)關(guān)管不易選型。在推挽和全橋拓撲中可能出現單向偏磁飽和,使開(kāi)關(guān)管損壞,而半橋電路因為具有自動(dòng)抗不平衡能力,所以就不會(huì )出現這個(gè)問(wèn)題。雙管正激式和半橋電路開(kāi)關(guān)管的承壓僅為電源的Z大輸入電壓,即使按60%降額使用,選用開(kāi)關(guān)管也比較容易。在高可靠性工程上一般選用這兩類(lèi)電路拓撲。 

    2.3 控制策略的選擇 

    在中小功率的電源中,電流型PWM控制是大量采用的方法,它較電壓控制型有如下優(yōu)點(diǎn):逐周期電流限制,比電壓型控制更快,不會(huì )因過(guò)流而使開(kāi)關(guān)管損壞,大大減小過(guò)載與短路的保護;優(yōu)良的電網(wǎng)電壓調整率;迅捷的瞬態(tài)響應;環(huán)路穩定,易補償;紋波比電壓控制型小得多。生產(chǎn)實(shí)踐表明電流控制型的50W開(kāi)關(guān)電源的輸出紋波在25mV左右,遠優(yōu)于電壓控制型。 

    硬開(kāi)關(guān)技術(shù)因開(kāi)關(guān)損耗的限制,開(kāi)關(guān)頻率一般在350kHz以下,軟開(kāi)關(guān)技術(shù)是應用諧振原理,使開(kāi)關(guān)器件在零電壓或零電流狀態(tài)下通斷,實(shí)現開(kāi)關(guān)損耗為零,從而可將開(kāi)關(guān)頻率提高到兆赫級水平,這種應用軟開(kāi)關(guān)技術(shù)的變換器綜合了PWM變換器和諧振變換器兩者的優(yōu)點(diǎn),接近理想的特性,如低開(kāi)關(guān)損耗、恒頻控制、合適的儲能元件尺寸、較寬的控制范圍及負載范圍,但是此項技術(shù)主要應用于大功率電源,中小功率電源中仍以PWM技術(shù)為主。 

    2.4 元器件的選用 

    因為元器件直接決定了電源的可靠性,所以元器件的選用非常重要。元器件的失效主要集中在以下四個(gè)方面: 

    (1)制造質(zhì)量問(wèn)題 

    質(zhì)量問(wèn)題造成的失效與工作應力無(wú)關(guān)。質(zhì)量不合格的可以通過(guò)嚴格的檢驗加以剔除,在工程應用時(shí)應選用定點(diǎn)生產(chǎn)廠(chǎng)家的成熟產(chǎn)品,不允許使用沒(méi)有經(jīng)過(guò)認證的產(chǎn)品。 

    (2)元器件可靠性問(wèn)題 

   元器件可靠性問(wèn)題即基本失效率的問(wèn)題,這是一種隨機性質(zhì)的失效,與質(zhì)量問(wèn)題的區別是元器件的失效率取決于工作應力水平。在一定的應力水平下,元器件的失效率會(huì )大大下降。為剔除不符合使用要求的元器件,包括電參數不合格、密封性能不合格、外觀(guān)不合格、穩定性差、早期失效等,應進(jìn)行篩選試驗,這是一種非破壞性試驗。通過(guò)篩選可使元器件失效率降低1~2個(gè)數量級,當然篩選試驗代價(jià)(時(shí)間與費用)很大,但綜合維修、后勤保障、整架聯(lián)試等還是合算的,研制周期也不會(huì )延長(cháng)。電源設備主要元器件的篩選試驗一般要求: 

    ①電阻在室溫下按技術(shù)條件進(jìn)行100%測試,剔除不合格品。 

    ②普通電容器在室溫下按技術(shù)條件進(jìn)行100%測試,剔除不合格品。 

    ③接插件按技術(shù)條件抽樣檢測各種參數。 

    ④半導體器件按以下程序進(jìn)行篩選: 

    目檢→初測→高溫貯存→高低溫沖擊→電功率老化→高溫測試→低溫測試→常溫測試 

    篩選結束后應計算剔除率Q 

    Q=(n / N)×100% 

    式中:N——受試樣品總數; 

          n——被剔除的樣品數; 

    如果Q超過(guò)標準規定的上限值,則本批元器件全部不準上機,并按有關(guān)規定處理。 

    在符合標準規定時(shí),則將篩選合格的元器件打漆點(diǎn)標注,然后入專(zhuān)用庫房供裝機使用。 

    (3)設計問(wèn)題 

    首先是恰當地選用合適的元器件: 

    ①盡量選用硅半導體器件,少用或不用鍺半導體器件。 

    ②多采用集成電路,減少分立器件的數目。 

    ③開(kāi)關(guān)管選用MOSFET能簡(jiǎn)化驅動(dòng)電路,減少損耗。 

    ④輸出整流管盡量采用具有軟恢復特性的二極管。 

    ⑤應選擇金屬封裝、陶瓷封裝、玻璃封裝的器件。禁止選用塑料封裝的器件。 

    ⑥集成電路必須是一類(lèi)品或者是符合MIL-M-38510、MIL-S-19500標準B-1以上質(zhì)量等級的軍品。 

    ⑦設計時(shí)盡量少用繼電器,確有必要時(shí)應選用接觸良好的密封繼電器。 

    ⑧原則上不選用電位器,必須保留的應進(jìn)行固封處理。 

    ⑨吸收電容器與開(kāi)關(guān)管和輸出整流管的距離應當很近,因流過(guò)高頻電流,故易升溫,所以要求這些電容器具有高頻低損耗和耐高溫的特性。

    在潮濕和鹽霧環(huán)境下,鋁電解電容會(huì )發(fā)生外殼腐蝕、容量漂移、漏電流增大等情況,所以在艦船和潮濕環(huán)境,Z好不要用鋁電解電容。由于受空間粒子轟擊時(shí),電解質(zhì)會(huì )分解,所以鋁電解電容也不適用于航天電子設備的電源中。 

    鉭電解電容溫度和頻率特性較好,耐高低溫,儲存時(shí)間長(cháng),性能穩定可靠,但鉭電解電容較重、容積比低、不耐反壓、高壓品種(>125V)較少、價(jià)格昂貴。 

    關(guān)于降額設計:電子元器件的基本失效率取決于工作應力(包括電、溫度、振動(dòng)、沖擊、頻率、速度、碰撞等)。除個(gè)別低應力失效的元器件外,其它均表現為工作應力越高,失效率越高的特性。為了使元器件的失效率降低,所以在電路設計時(shí)要進(jìn)行降額設計。降額程度,除可靠性外還需考慮體積、重量、成本等因素。不同的元器件降額標準亦不同,實(shí)踐表明,大部分電子元器件的基本失效率取決于電應力和溫度,因而降額也主要是控制這兩種應力,以下為開(kāi)關(guān)電源常用元器件的降額系數: 

    ①電阻的功率降額系數在0.1~0.5之間。 

    ②二極管的功率降額系數在0.4以下,反向耐壓在0.5以下。 

    ③發(fā)光二極管。

 

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